美光总裁马克·亚当斯（Mark Adams）在声明中表示：“在现代计算机中，最大的一项障碍便是处理器在长期存储设备中找到数据的时间太长。这种新的、非短期的内存是一项技术革命。它可以快速存取巨量数据集，支持全新的应用。
长期以来，储存器的速度和容量都是计算机的最大瓶颈，即使在SSD硬盘已经普及的今天也不例外。为了硬盘的速度，我们搞出来Raid 0，从机械硬盘进化到闪存盘，但是储存器本身的存储速度还是慢慢进步的，英特尔与美光搞得这个革命性的东西是什么呢？为什么会快到如此地步呢？
一、传统闪存是怎么干活的？
我们正在使用的闪存虽然发展了很多年，但是本质上还是利用一个个微小的晶体管来储存数据。
晶体管是NAND芯片的核心。NAND芯片靠电子在晶体管的“浮动栅”来回移动工作。
（编者注：NAND闪存是1989年问世的第一代非易失性存储技术。非易失性存储意味着在关掉电源的情况下还能存储数据。）
浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它是控制传导电流的选择控制栅。闪存晶体管里面数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子就为0，没电子为1。
闪存在存取数据的时候，要先把所有单元的电子都清掉，具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。
要写入就是施加高电压，让电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。有电子了，这个晶体管就是0了，这样写入就完成了。
而读取数据时，就施加一定的电压，因为硅底板上的浮动栅有的有电子，有的没电子，同样施加电压，出来的电流就不一样，这样就能读出0或者1。
因为你得先擦除再写入，所以闪存的速度不如内存快，用英特尔总裁罗勃·克鲁克比喻说：“这有点像一个停车场，要想移动一辆车，会让其他汽车挤在一起。你不得不把它们重新排列，才能让一个新的汽车进来。”
此外，你存一次数据，就得加一个高电压穿过绝缘氧化膜。这个膜不是无限寿命的，高电压次数加多了，这个膜就失效了。这个时候闪存就没法用了，就是我们说的闪存的寿命到了。
另外，晶体管的大小是跟着制造工艺来的，摩尔定律发展到哪一步，就有哪一步的速度和容量，不会有突破性发展。
速度、容量、寿命就成了闪存的三大问题。
二、3D XPoint的突破
新存储芯片是一种多层线路构成的三维结构，每一层上线路互相平行，并与上下层的线路互成直角，层与层间的有“柱子”似的线在上下层的交错点连接。
横向的层是绝缘层，每根“柱子”分两节，一节是“记忆单元”，用来存数据，记忆单元能存储一个比特的数据，代表二进制代码中的一个1或0；一节是一个“选择器”，选择器允许读写特定的记忆单元，通过改变线路电压来控制访问。
现在有意思的就是这个“记忆单元”，它不是晶体管。这意味着和传统闪存完全不同，所以他才能有更大储存密度，更快的速度。
但是它是什么？用什么材料？英特尔与美光打死也不说，我们只能推测。
其实，不用晶体管的储存器，这些年一直在搞。cross-point架构舍弃了晶体管，采用栅状电线(a latticework of wires)电阻来表示0和1，高电阻状态时，电不能轻易通过，cell表示0，当处于低电阻时，cell表示1。
这种用电阻差异来存数据的东西叫电阻式RAM(简称RRAM)，三星、闪迪等巨头都在投入，但是真正接近实用化的是一家名为Crossbar的创业公司（首席科学家个叫卢伟的华裔），它在2013年推出了邮票大小的ReRAM产品原型，它可以存储1TB数据。2014年已经进入准备商用的阶段。Crossbar的架构图和英特尔、镁光的这个3D XPoint的架构图就很接近了。
镁光在2014年也拿出来索尼联合研发ReRAM，原理类似，还公布了一些材料的信息。如今时隔不到一年，这个3D XPoint我们相信就是个新名词而已。
本质上，它就是电阻式RAM，架构参考了Crossbar的架构。材料上镁光有了一定的突破，最后加上Intel的工艺，基本可以把这个东西实用化，这就是3D XPoint。
三、3D XPoint能干什么？
不考虑成本的话，这个东西是目前储存器的良好替代品，寿命比机械硬盘还长，速度比闪存快1000倍，接近内存的速度，容量密度还很大。要求低一点的计算设备，可以一种储存器打天下了。
对于要求高的地方，它可以在内存和硬盘之间当一个缓冲，类似于现在SSD盘这么一个角色，需要快速读取写入的，用3D XPoint，不需要的还是用硬盘。只是相对于现在的SSD盘，它的速度更快，寿命更长，容量更大。
这个东西初期价格会很高，会先应用于超级计算机，高性能服务器这些不差钱的地方。但是因为这个东西的制造工艺和现在的半导体芯片没有太大区别，技术搞清楚后很多厂都可以做，价格也会很快下来。乐观估计，大约5年内这类东西就会普及。也许5年后我们的电脑手机很快就会用上。
(雷锋网)